半导体装置为了达成附加值高的系统LSI，需要高集成化、高速化，这其中新的布线材料、绝缘膜是不可缺少的——其中，具有低电阻的Cu，作为布线材料受到关注。

Cu布线是通过双镶嵌法形成的，该工艺主要是为了降低线条的电阻和提高器件的导热等性能，通常应用于0.13μm及以下的后段工艺。 其过程是：首先是采用物理气相沉积的方法在Cu线的沟槽内沉淀一层阻挡层，目的是防止Cu在Si和SiO₂中的扩散；然后在阻挡层上用物理气相沉积一层Cu种子，以起到导电作用，为接下来的Cu电镀工艺做好准备，随后就是电镀500~1800 nm的Cu金属层。

但做到这一步其实还没结束，因为最后还需要用化学机械研磨(CMP)的方法把表面多余的Cu完全去除，使芯片达到全局平坦化的要求。如此一来才能保证Cu线厚度在设定的范围内，为后续的CVD和光刻等提供了良好的工艺条件。

而在这步被称为“Cu-CMP工艺”的过程中，CMP会通过浆料中药液的化学作用在表面形成反应物层，通过浆料的磨粒和垫通过机械作用研磨该反应物层，除去多余的Cu，这样就完成了合格的布线结构。总之，既然要使用CMP工艺除去多余的Cu，那么所使用的抛光液正是该工序中决定成效的关键。

随着芯片技术的发展，除了上述提及的工序外，CMP全局平坦化在前道集成电路制造和后道先进电子封装中都有广泛的应用需求，因此业界也对抛光液性能也提出了新的要求。在即将于2023年9月18-19日在东莞举办的“2023年全国精密研磨抛光材料及加工技术发展论坛”，来自中国科学院深圳先进技术研究院的王宁博士将发表题为《集成电路Cu-CMP用新型抛光液研究》的报告。报告将全面围绕新型抛光液的制备及应用深入讲解，主要内容包括：1）CMP在集成电路制造和先进封装中的应用现状；2）抛光液材料设计原理；3）抛光液设计技术指标；4）集成电路Cu-CMP用新型抛光液研究进展。

个人简历

王宁，博士毕业于新加坡南洋理工大学，现为深圳先进电子材料国际创新研究院副研究员，研究方向为电子级纳米材料及其在先进电子封装中的应用。截止目前，参与国家及省部级电子级二氧化硅项目3项，已发表期刊论文81篇，引用2435次，h-index 29，授权中国发明专利3项，参与制定电子封装用二氧化硅微粉检测团体标准1项。

东莞抛光材料及技术论坛会务组