碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，它与氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、氧化镓（Ga₂O₃）等，因禁带宽度大于2.2eV统称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三代半导体材料。

目前，以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体材料及相关器件芯片已成为全球高技术领域竞争战略制高争夺点。而对于碳化硅和氮化镓这两种芯片，如果想最大程度利用其材料本身的特性，较为理想的方案便是在碳化硅单晶衬底上生长外延层。

在碳化硅上长同质外延很好理解，凭借着禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子漂移速度高、热导率大等优势，碳化硅特别适于制造耐高温、耐高压，耐大电流的高频大功率的器件，因此在电动汽车、电源、军工、航天等领域很被看好。

那氮化镓外延层为啥也要在碳化硅单晶衬底上长呢？理论上讲，氮化镓外延层最好当然用本身氮化镓的单晶衬底，不过在之前的文章中也有提到，氮化镓的单晶实在是太难做了点，不仅反应过程难以控制、长得特别慢，而且面积较小、价格昂贵，商业化很是困难，而碳化硅和氮化镓有着超过95%的晶格适配度，性能指标远超其他衬底材料（如蓝宝石、硅、砷化镓等），因此碳化硅基氮化镓外延片成为最佳选择。

备注：话虽如此，但也一直有公司致力于氮化镓单晶衬底的研发与生产，如苏州纳维科技有限公司就是国际上少数几家之一能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位，而且已完成4英寸产品的工程化技术开发，还突破了6英寸的关键技术。

综上所述，很容易理解为何碳化硅在业内会有“黄金赛道”这样的美称。对于碳化硅器件而言，其价值链可分为衬底—外延—晶圆—器件，其中衬底所占的成本最高为50%——主要原因单晶生长缓慢且品质不够稳定，这也是早年时SiC没能得到广泛的推广的主要原因。不过如今随着技术缺陷不断得到补足，碳化硅单晶衬底的成本正不断下降，可预期未来绝对会是“钱”景无限。以下就是国内部分碳化硅衬底供应商名单。

碳化硅半导体产业链

天科合达

北京天科合达半导体股份有限公司于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的高新技术企业，是全球SiC晶片的主要生产商之一。其总部设在北京市大兴区生物医药基地，拥有一个研发中心和一个集晶体生长-晶体加工-晶片加工-清洗检测的全套碳化硅晶片生产基地；全资子公司一新疆天科合达蓝光半导体有限公司位于新疆石河子市，主要进行碳化硅晶体生长。

山东天岳

山东天岳公司成立于2010年11月，是以碳化硅半导体衬底材料为主的高新技术企业。公司投资建成了第三代半导体材料产业化基地，具备研发、生产国际先进水平的半导体衬底材料的软硬件条件，是我国第三代半导体衬底材料行业的先进企业。

河北同光晶体

河北同光晶体有限公司成立于2012年，位于保定市高新技术开发区，主要从事第三代半导体材料碳化硅衬底的研发和生产。公司主要产品包括4英寸和6英寸导电型、半绝缘碳化硅衬底，其中4英寸衬底已达到世界先进水平。目前，公司已建成完整的碳化硅衬底生产线，是国内著名的碳化硅衬底生产企业。

中科集团2所

中科集团二所成立于1962年，是专业从事电子先进制造技术研究和电子专用设备研发制造的国家级研究所。目前，二所已形成以液晶显示器件生产设备、半导体及集成电路制造设备、特种工艺设备为主的电子专用设备和以太阳能多晶硅片、三代半导体SiC单晶抛光片为主的半导体材料两大业务方向，能够为用户提供工艺和设备的系统集成服务。

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