3月11日，据天成半导体官微消息，依托自主研发设备成功研制出14英寸碳化硅单晶材料，有效厚度达30毫米，实现我国第三代半导体大尺寸核心材料领域的里程碑式突破，打破日韩欧企业长期垄断。
14英寸碳化硅原生晶锭（来源：天成半导体）
作为国内碳化硅领域骨干企业，天成半导体2025年已掌握12英寸高纯半绝缘和N型单晶生长成熟工艺，其12英寸N型碳化硅单晶有效厚度突破25毫米。此次14英寸单晶的成功制备，标志着我国碳化硅产业从“12英寸普及”向“14英寸破冰”跨越，迈出关键一步。
该14英寸碳化硅单晶主要应用于半导体制造设备核心部件，具备密度高、热传导性好、耐腐耐温等特性，适配晶圆外延、刻蚀等核心环节，此前该领域市场被海外垄断，此次突破为半导体装备自主可控奠定基础。
大尺寸碳化硅是第三代半导体规模化发展的关键，尺寸越大越能降本增效。当前全球主流厂商已实现8英寸量产、推进12英寸研发，天成半导体的突破将推动我国产业跨越式追赶，加速国产替代，为新能源汽车、光伏储能等下游领域提供支撑。此次突破既是单点技术胜利，更是国产半导体向上突破的重要一步，助力我国在第三代半导体领域掌握更多主动权。
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