据中国电科近日消息，中国电科46所超宽禁带氮化铝单晶材料在成核模式控制、传质路径调控、应力抑制等关键核心技术方面取得重大突破，加速氮化铝单晶材料的实用化进程。

氮化铝单晶的理论导热系数为320W/(m·K)

氮化铝单晶材料是新一代战略性电子材料，是研制超高功率微波射频器件和超短波长深紫外光电子器件的核心基础，但是氮化铝晶体生长及其衬底制备具有极高的技术壁垒。46所创新运用“揭榜挂帅”机制，积极布局超宽禁带半导体材料研发，相继实现高质量氮化铝单晶的稳定制备。氮化铝单晶材料成功研制，将进一步丰富46所电子功能材料体系，为实现半导体材料的关键核心技术自主创新、打造原创技术策源地提供有力支撑，进一步提升集团公司在半导体材料领域的影响力和竞争力。

电科46所是国内最早从事半导体材料和光纤研究与生产的单位之一，目前已形成四大专业领域：半导体材料、特种光纤与器件、电子专用材料理化分析及监督检测、电子工业仪表及电子专用设备。

信息来源：中国电科

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