由于研究及应用上的相对成熟，氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）被并称为第三代半导体的“双雄”。其中，氮化镓具有高的电离度，出色的击穿能力、更高的电子密度和电子速度以及更高的工作温度，因此在微波射频、电力电子、光电子等领域中尤其受到重视。

尽管人们已经认识到氮化镓的性能优势，包括较低的总体系统成本，更高的功率密度和功率效率，但由于氮化镓生产门槛高，在很长的一段时间内其成本相对硅来说都高出不少，因此不少电源系统制造商还是选择等待氮化镓接近硅的价格再采用。

氮化硅充电头

不过随着技术上的突破，氮化镓的成本控制已经得到了显著成果。比如说今天，就有一则这样的消息——氮化镓功率晶体管的全球领导者GaN Systems宣布，其低电流，大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。 这些晶体管通常用于智能手机和笔记本电脑以及各种消费品和工业应用的氮化镓充电器和AC适配器。 随着全球众多消费者，企业和工业市场客户的产量提高，GaN Systems预计氮化镓晶体管的价格会进一步降低。

“等待已经结束，我们终于看到价格低于1美元，这是一个里程碑。 随着数量的猛增，氮化镓价格已经逼近甚至低于硅MOSFET的价格，” GaN Systems首席执行官Jim Witham评论道。 “在短短几年内，我们看到氮化镓使电源系统变得更小，更轻，更凉也更便宜。 因此现在有非常多的客户在其产品和设计中使用氮化镓，也就不足为奇了。”

市场对氮化镓功率半导体的需求一直在增长。根据“宏景研究所”Grand View Research）的预测，全球氮化镓半导体器件市场将从2020年的16.5亿美元（市场规模价值）以19.8％的复合年增长率增长，到2027年达到58.5亿美元。考虑到GaN Systems公司在生产能力上已被证明的可靠性，可预见未来氮化镓在消费类电子等领域必将得到更广泛的应用。

来源：acnnewswire

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