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吴亮教授:高质量、大尺寸AlN单晶生长及其应用前景展望
2021年01月06日 发布 分类:行业要闻 点击量:795
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氮化铝(AlN)是第三代半导体材料的典型代表之一,又是这些材料中的直接带隙中禁带宽度(6.2eV)最宽的一个同时具备了极为优良的光、电、声、机械性质,目前已经表现出极其广阔的应用前景和难以估量的巨大经济效益其中最被看好的应用包括更高电压的功率元件以及(深)紫外LED与镭射二极管等。

氮化铝

不过与商业化更为成熟的SiC相比,AlN在单晶生长及其衬底制备上的技术难度高出得不是一点半点,不仅更复杂,而且成本也更高——可以说,缺乏足够大和高质量的单晶就是限制AlN发展的主要原因之一。截至目前为止,世界各国已经为生长大尺寸氮化铝单晶作了近50年的努力,其中物理气相沉积法被公认为生长块状氮化铝单晶的唯一方法。

现在全球范围内有能力生长出2英寸AlN单晶的企业/研发机构非常有限,奥趋光电技术(杭州)有限公司(以下简称“奥趋光电”)正是其中的佼佼者。就在去年于日本横滨举行的LED 工业应用国际会议( LEDIA-2019) 上,奥趋光电推出了直径60 mm 氮化铝单晶及晶圆,该晶圆为迄今为止国内外见诸报道的最大尺寸氮化铝晶圆。

氮化铝

直径60 mm氮化铝单晶衬底

尽管现阶段市场仍尚未大量导入AlN相关元器件产品,但随着近年来光电子器件领域的快速发展,高功率紫外LED芯片对AlN单晶衬底的巨大需求还是有望被引爆的,因此加紧对AlN晶体的生长工艺的研究具有现实意义。在1月6-8日于广东珠海举办的“2021全国高纯粉体与晶体材料创新发展论坛”上,来自上海大学材料科学与工程学院 奥趋光电技术(杭州)有限公司吴亮教授将分享题为《高质量、大尺寸AlN单晶生长及其应用前景展望》的报告,感兴趣的话就别错过了哦!

个人简介

吴亮

吴亮教授,“东方学者”特聘教授、博士生导师,分别毕业于比利时天主教鲁汶大学、清华大学及大连理工大学,获工学博士、工学硕士及本科学位,奥趋光电技术(杭州)有限公司创始人、CEO。。长期从事半导体、光伏/LED晶体材料模拟仿真技术、晶体生长设备及其生长工艺与缺陷的研究开发。是全球知名晶体生长模拟仿真软件FEMAG的核心开发人员之一、知名网格生成软件poly2tri作者;Elsevier Journal of Crystal Growth 客座编辑(guest editor);PV Japan-2011 大会全员特邀演讲嘉宾(Plenary keynote speaker);SEMI全球协会Semi China光伏材料学术委员会成员,光伏材料分会主席;主要研究方向:晶体生长设备、热场设计与工艺;磁场对晶体生长过程的影响及其耦合技术;晶体生长过程的微观缺陷形成机理及其传输机制。有限元非结构化网格自动生成;晶体生长工艺过程的全局计算机模拟、仿真与工艺优化等

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