在光伏产业狂飙突进、半导体国产化浪潮汹涌的今天，国内市场对核心部件的可靠性要求也日益严苛。如氧化铝、氧化锆、碳化硅（SiC）、氮化硅（Si₃N₄）、氮化铝（AlN）等先进陶瓷材料凭借其高硬度、优异的耐磨性、耐腐蚀性、绝缘性以及出色的高温稳定性和化学惰性，成为支撑半导体制造、光伏电池片生产以及大功率器件封装的关键基石，然而，也正是这些优异特性为其制品的高效、高精度生产加工竖起了一道高墙，成为制约高端设备性能和国产化进程的瓶颈。本站"中国粉体万里行"的脚步踏入了一家在高精度难加工材料领域拥有深厚的技术积累的企业——浙江耐思威智能制造有限公司（以下简称"浙江耐思威"）。

重器铸精工：300余台（套）高端设备构筑精度控制硬实力

在本站万里行探访中，浙江耐思威销售工程师鲍建飞先生与蔡宇涵先生带领万里行团队小伙伴实地参观了其位于嘉兴海盐的新厂区，直观感受到了公司为打造核心竞争力所作的重资投入。目前浙江耐思威拥有涵盖高硬脆材料加工全流程的先进设备“硬实力”：包括CNC数控加工中心、精雕机、高精度数控平面磨床、双端面磨床、无心磨床、内外圆磨床、高精度数控车床以及满足半导体洁净度要求的专用清洗设备等超过300台（套）。

如此庞大的精密机械加工设备集群既为耐思威实现规模化、批量化生产奠定了坚实的硬件基础，也带来了行业领先的成果，使其在国内同行中树立了精度控制的标杆。即使面对结构复杂的陶瓷或纯硅部件，如今公司在加工陶瓷结构件时大部分尺寸公差控制在1-2丝（0.01-0.02毫米）范围内，涉及到研磨抛光加工的陶瓷件，部分产品的尺寸可以控制在微米级（0.001-0.002），且表面粗糙度（Ra值）可达到0.005微米（μm）以下的极高光洁度水平。稳定的加工能力能够保证半导体陶瓷手臂、光伏吸盘组件等关键部件的优异性能，显著提升其运行平稳性，保障产品的长期可靠性。

知"材"善用：深谙材料特性与精准击破加工痛点

先进的设备集群是浙江耐思威的技术骨骼，而对材料的深刻理解和针对性工艺就是"破壁"的灵魂。耐思威历经多年发展，凝聚了一支超过200人的专业技术团队，其中半数以上成员拥有超过20年的从业经验，他们对各种先进陶瓷及难加工材料的物理与化学特性、微观结构以及最终应用场景的理解极为透彻，因此面对不同陶瓷材料及其特有的加工难题，耐思威能够精准施策，展现出卓越的解决方案：

1、氮化铝 (AlN)

AlN由于出色的理论热导率和与芯片相匹配的低膨胀系数，成为电子封装领域中理想的散热和封装材料，能有效减少因热膨胀不匹配导致的应力问题。然而，其高硬度、高脆性和极低的断裂韧性等特性使其在加工时很容易因材料内部微观应力的细微变化引发碎裂、崩边、白边等问题，导致成品率难以提升。耐思威依托独特的加工技术路径，成功驯服了这块“硬骨头”，显著提升了成品合格率，为高端半导体封装国产化提供了可靠选择。

2、碳化硅 (SiC)

 SiC不仅具备卓越的常温力学性能（高强度、高抗弯强度、低摩擦系数、高耐磨性），更是抗氧化性最强的非氧化物陶瓷，但它的超高硬度也带来了两大难题：一是加工表面极易留下刀纹，影响光洁度和功能；二是加工工具的磨损速度惊人，加工成本高昂。针对此，耐思威开发应用了特殊的研磨方式，有效解决了上述问题。

3、氮化硅 (Si₃N₄)

Si₃N₄综合性能优异，拥有高强度、低密度、耐高温、低热膨胀系数、高导热率以及极佳的耐热冲击性，但其与碳化硅一样具有高硬度，加工存在类似的难题。耐思威依托团队对材料的深刻认知，优化了加工参数和工艺路线，能够确保其卓越性能的稳定发挥。

4、氧化铝 (Al₂O₃)

作为先进陶瓷中应用最广泛的材料，氧化铝陶瓷凭借其良好的绝缘性、耐磨性、硬度及成本优势，在众多领域扮演着基础而重要的角色。目前耐思威的氧化铝陶瓷吸盘组件配套在光伏行业电池片自动化设备生产上得到了广泛应用，此外也可稳定供应氧化铝陶瓷柱塞泵、陶瓷手臂、陶瓷吸盘等高端精密零部件及结构件。

5、高纯半导体硅制品

浙江耐思威的单晶或多晶硅环、托盘、喷淋盘、排气扇等半导体用纯硅制品广泛用于光刻、蚀刻、离子注入等工序等，目前公司的最大加工尺寸为直径700mm。

小结

当前复杂国际环境下，保障供应链安全、突破核心零部件"卡脖子"困境已迫在眉睫。耐思威以规模化的高端装备集群、国内顶尖的精密加工精度、以及对各类难加工陶瓷材料深刻理解与成熟工艺为核心竞争力，持续为中国半导体、光伏、锂电等高端制造领域所用陶瓷部件提供了高性能、高可靠性保障，并由此在推动关键材料部件自主可控的浪潮中，扮演愈发重要的角色。

中国粉体工业万里行