近日，据天成半导体官微消息，公司继第二季度研制出12英寸N型碳化硅单晶材料后，又依托自主研发的12英寸碳化硅长晶设备成功研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料。
目前，天成半导体现已掌握12英寸高纯半绝缘和N型单晶生长双成熟工艺，其中12英寸N型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突破35㎜，自研的长晶设备可产出直径达到350㎜的单晶材料。
12英寸导电型碳化硅单晶材料
12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料
近年来，天成半导体不断迭代产品工艺，在大尺寸、低成本量产方面实现关键技术突破，率先研发出可量产的8-12英寸导电型和半绝缘型碳化硅单晶材料，产品质量达到国际领先水平。截至目前，公司已形成了碳化硅单晶炉制造、碳化硅粉料制备、6-12英寸碳化硅单晶材料生长、生产耗材加工等完整的生产线。实现了从碳化硅长晶设备制造、粉料、籽晶、热场设计到晶体加工等全流程工艺完全自主可控。
未来，天成半导体将继续聚焦大尺寸碳化硅单晶材料的产业化技术，以先进成熟的工艺能力为基石，致力于为客户提供碳化硅材料生产中高品质、高可靠性的“装备+耗材+工艺服务”一体化解决方案。
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