旭化成分拆设立ULTEC,推动AlN为核心的超宽禁带半导体器件商业化

发布时间 | 2025-08-27 10:15 分类 | 行业要闻 点击量 | 16
氮化铝
导读:​2025年8月26日,旭化成宣布,以氮化铝(AlN)为核心的超宽禁带半导体技术为基础,正式分拆成立初创公司“ULTEC”。

2025年8月26日,旭化成宣布,氮化铝(AlN)为核心的超宽禁带半导体技术为基础,正式分拆成立初创公司“ULTEC”。新公司将专注于深紫外线激光二极管、远紫外LED、深紫外传感器以及高耐压功率器件的开发与商业化。


深紫外激光二极管

成立背景

ULTEC的成立源自旭化成与名古屋大学天野・本田研究室自2017年起开展的联合研究,包括2019年实现了全球首例室温脉冲发振,2022年实现了全球首例室温连续发振等。

这一技术被视为化学/生物检测设备和杀菌消毒应用的潜在核心光源,市场前景广阔。但目前仍缺乏成熟的应用市场,如何实现规模化推广是关键挑战。

根据报道,新创公司ULTEC与传统依赖内部投资与研发的模式不同,旭化成选择通过“非合并子公司”形式的创业分拆来推进商业化。

ULTEC将获得旭化成的核心专利授权,提升决策效率;

借助名古屋大学先进研究设施及外部资源,采用“Fabless(无晶圆厂)+轻资产”模式,快速推动技术落地。

此外,该公司还利用日本经济产业省倡导的“出向创业”制度,由旭化成内部人才直接出任ULTEC管理层:吉川阳任CEO,张梓懿担任董事。

从左至右依次为:张梓懿、天野浩(名古屋大学名誉教授、ULTEC 技术顾问)、久志本真希(名古屋大学副教授、ULTEC 技术顾问)、吉川阳

市场愿景

ULTEC CEO吉川阳表示:“深紫外激光二极管长期被认为是‘不可实现的领域’。能够以ULTEC的形式迈出社会应用的第一步,非常令人振奋。未来,我们的目标是在工业、医疗、环境等多个领域创造全新价值。”

旭化成则将ULTEC定位为公司先进技术的 “新出口战略”,通过概念验证与外部合作伙伴关系,致力于推动UV-C LD的实际应用与市场扩张。

 

粉体圈Coco编译

作者:Coco

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