日本东丽开发磷化铟(InP)光半导体在硅基板上的高速集成技术

发布时间 | 2024-10-28 11:05 分类 | 技术前沿 点击量 | 493
导读:2024年10月23日,日本东丽株式会社(Toray Industries, Inc.)宣布公司已联合东丽工程(TRENG)开发出一套基于InP(磷化铟)等光半导体在硅基板上集成的材料与工艺技术,并计划在2025年前完成量...

2024年10月23日,日本东丽株式会社(Toray Industries, Inc.)宣布公司已联合东丽工程(TRENG)开发出一套基于InP(磷化铟)等光半导体在硅基板上集成的材料与工艺技术,并计划在2025年前完成量产技术的确立,力争尽早实现商业化。

高速通信带来的需求

据了解,随着人工智能进步推动高速通信的扩展,数据中心数量不断增加,人们担忧因数据中心高耗电量带来的电力需求激增。为应对这一挑战,除了在长距离通信中应用光通信,低能量损耗的光通信技术也正加速在数据中心内部的短距离通信(<1米)中应用。

为此,通过硅光子技术在硅基板上形成光路,利用III-V族化合物半导体(如InP)实现低损耗的光电路。东丽此次正是聚焦于将硅光子技术应用于数据中心的短距离通信中,推动相关新材料和工艺技术的创新开发。

在硅光子技术中所需的光半导体集成 (来源:东丽)

新技术详情

据报道,东丽此次开发内容包括一种用于激光快速转写InP等光半导体的“转写材料”,一种用于捕获并直接接合到硅基板上的“捕获材料”,以及相关的“组装工艺技术”。

此前,东丽已开发出用于微型LED的转写材料,而此次应用的InP光半导体尺寸为640×90微米,尽管比普通微型LED大,但厚度仅为3微米。为此,东丽研发出一种新型转写材料,能够在一次激光照射中无损转写超薄光半导体。

在捕获材料方面,东丽运用了其耐热高分子设计技术和粘附性控制技术,开发出能够捕获并直接接合至硅基板且易于释放的新材料。

 

东丽提出的高速光半导体组装工艺技术 (来源:东丽)

芯片粘合到硅基板上 (来源:东丽)

此外,东丽还与TRENG合作开发了一整套从激光转写到硅基板直接接合的工艺技术。通过验证实验显示,该工艺的定位精度在±2微米以内,旋转误差在±1度以内,且装配速度高达每分钟6000个,具备极高的效率。

关于日本东丽

日本东丽株式会社(Toray Industries, Inc.)是一家全球领先的尖端材料制造公司,成立于1926年,主要专注于纤维、复合材料、化学品、电子和信息材料等领域的研发和生产。近年来,东丽积极推动光电子与硅光子技术的发展,通过高性能材料和创新技术支持半导体、光通信等领域的进步。

 

粉体圈编译

作者:粉体圈

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