随着新兴科技产业的快速发展及对器件表面要求的不断提高，化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，简称CMP）技术作为目前唯一能兼顾表面全局和局部平坦化的抛光技术，可通过机械磨损与化学腐蚀的协同作用，得到高材料去除率与表面质量，具有广阔的市场与研究价值。为了兼顾超高精度表面质量和抛光效率，CMP抛光技术对关键耗材——抛光液、抛光粉的调配与生产的要求也不断提高，而二氧化铈因反应活性高、对SiO₂亲合力强而从一众抛光颗粒中脱颖而出，成为高端显示玻璃基板领域不可或缺的抛光材料。

利用二氧化铈配制CMP抛光液，既能在压力作用下促使玻璃表面形成水合软化层，也能利用机械研磨去除形成的软化层。不过要想获得高平整度的表面质量，需要使物理研磨作用和化学腐蚀作用保持在一个平衡状态，避免化学作用过强导致腐蚀坑点或机械研磨作用过强对玻璃表面造成划伤，这就对抛光液中成分、二氧化铈粒度分布、物相结构及微观形貌等提出了要求。

氧化铈抛光机理

除此之外，由于高精密抛光的氧化铈粒度逐渐向亚微米级、纳米级发展，且其本身具有一定的化学活性，因此保证二氧化铈抛光液的分散悬浮稳定性也是重中之重，否则粒子较易团聚，容易导致工件划伤；同时由于悬浮清洗性能不好，抛光液磨料损耗快，容易粘附在工件及机台表面，使磨料沉底结块，研磨抛光效率降低；另外抛光后工件表面残留抛光粉多，难以清洗，为后段正常生产带来困难。

8月25-26日，在无锡举办的“2024年全国精密研磨抛光材料及加工技术发展论坛”上，粉体圈特别邀请了北京工业大学的梅燕教授现场分享报告《高端显示玻璃基板用CMP稀土铈基抛光浆料的研制及机理》，届时她将带您一起探究抛光浆料配方、pH值、润湿角、浊度、Zeta电位值、沉降率、SEM等参数对抛光效果的影响，并从以下四个方面讲解如何获得抛光浆料的润湿性与悬浮性的最佳配方：

1、CMP铈基浆料的研究背景及意义；

2、CMP抛光浆料的组成及研究目标；

3、分散剂对CMP抛光浆料的影响及机理；

4、CMP抛光浆料的实验结果及应用

报告人介绍

梅燕，北京工业大学材料科学与工程学院教授/硕士生导师。自2003年起开始进行铈基CMP抛光材料的研究开发，迄今20年来一直专注于此项工作，与国内相关CMP抛光加工生产企业、应用单位等建立了紧密的合作关系及应用研究，积累了丰富的实践经验，在CMP抛光磨料制备、合成工艺、反应机理等方面均取得多项研究积累。

作为第一负责人，曾主持国家863重大项目子课题、北京市教委项目、企事业委托项目等多个科研项目，目前为“国家重点研发计划项目---稀土专项”课题负责人。以第一作者发表发表稀土抛光专业的论文30余篇，以第一发明人获得多项国家发明专利。

无锡研磨抛光论坛