旭化成于6月12日宣布，其子公司美国Crystal IS开发和制造的4英寸（100毫米）氮化铝（AlN）单晶晶圆质量有所提高，将于2024年度下半年开始向国内外半导体设备制造商提供样品。
左侧是过去开发的可用面积为 90% 的氮化铝晶圆，右侧是经过进一步改进后可用面积增至 99.3% 的氮化铝晶圆（来源：旭化成）
AlN与SiC和GaN一样，是一种广为人知的宽禁带半导体，预计将用于下一代功率器件。然而，其制造需要在超过2000℃的升华炉内部进行精确的温度控制，这使得晶圆尺寸的增大变得困难。自1997年成立以来，Crystal IS一直致力于大直径AlN晶圆的研发，并在2023年8月宣布成功开发了4英寸晶圆。
此次提供样品的决定，是基于4英寸晶圆质量的提升，晶圆面积的99%以上已被确认可用。公司通过使用这些晶圆制造UV-C LED的方式进行了验证。旭化成还指出，在样品提供的初期阶段，样品数量将有限。
粉体圈 Coco 编译
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