新发现:氧化铝掺杂氧化锆陶瓷导致缺陷也促进低温烧结
2024年03月11日 发布
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近日,先进陶瓷期刊(Journal of Advanced Ceramics)发表了一项由湖北工业大学、中科院福建材料结构研究所、江西多功能氧化锆材料工程研究中心和武汉理工大学材料合成与加工先进技术国家重点实验室科研人员的新发现,利用氧化铝掺杂实现氧化钇稳定氧化锆陶瓷低温烧结,并证实了烧结动力机理。 论文链接:https://doi.org/10.26599/JAC.2024.9220869 掺杂氧化铝氧化钇稳定氧化锆陶瓷在(a)1300℃、(b)1325℃、(C)1350℃和(d)1400℃下的烧结 本次研究包括使用不同样品以及不同温度烧结进行验证。没有掺杂氧化铝的氧化锆并不会因盈利或相变而导致晶粒缺陷。而研究团队通过在1300℃下无压烧结商业0.25wt%氧化铝掺杂的氧化锆粉末,制备147nm的细粒致密3Y-TZP陶瓷,并检测到晶粒内部的大量缺陷,证实了缺陷与氧化铝添加的关联。 本次发现证实了氧化铝溶解到氧化锆晶格中过程中溶剂和溶质的离子半径的显著差异而导致缺陷,同时也促进了低温烧结。 编译整理 YUXI 相关标签:
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