10月16日据科友半导体官微消息，科友半导体8英寸碳化硅（SiC）中试线在2023年4月正式贯通后，同步推进晶体生长厚度、良率提升和衬底加工产线建设，加快衬底加工设备调试与工艺参数优化。

2023年9月，科友首批自产8英寸SiC衬底于科友产学研聚集区衬底加工车间成功下线，这标志着科友在8英寸SiC衬底加工，以及大尺寸衬底产业化方面迈出了坚实一步。

科友首批8英寸碳化硅衬底 来源：科友半导体

碳化硅衬底是第三代半导体产业发展的重要基础材料，更大尺寸和更低成本是碳化硅衬底的发展方向。科友基于长期自主研发，依次开发了1-4代感应长晶炉和1-3代电阻长晶炉，成为国内第一家同时拥有8英寸感应长晶炉和电阻长晶炉，并成功制备出8英寸碳化硅衬底的企业。中国电子学会组织的成果鉴定会上，鉴定委员会高度评价科友成果达到“国内领先，国际先进”水平。

据了解，科友半导体是一家专注于第三代半导体装备研发、衬底制作、器件设计、科研成果转化的国家级高新技术企业，研发覆盖半导体装备研制、长晶工艺、衬底加工等多个领域，已形成自主知识产权，实现先进技术自主可控。科友半导体在哈尔滨新区打造产、学、研一体化的第三代半导体产学研聚集区，实现碳化硅材料端从原材料提纯-装备制造-晶体生长-衬底加工-外延晶圆的材料端全产业链闭合，致力成为第三代半导体关键材料和高端装备主要供应商。

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