当前位置:首页 > 粉体资讯 > 技术前沿 > 正文
中美联合开发成果:下一代芯片导热新贵氮化钽!
2021年04月07日 发布 分类:技术前沿 点击量:78
0

3月17日,Phys.Rev.Lett发表了一项由中美研究人员合作的科研成果——氮化钽的导热速度几乎比所有材料都快,它有望成为芯片工业中解决导热问题的下一代新贵。

论文链接:DOI: 10.1103/PhysRevLett.126.115901

中美研究人员在维也纳工业大学(TUWien)的一个研究小组中联合寻找最佳导热材料,以解决越来越突出的芯片散热问题。最终,六方相的θ-氮化钽脱颖而出。该校材料化学研究所的Georg Madsen教授解释导热机理,热传播主要是通过电子和声子两种形式,无论哪种在材料中传播都会受到各种阻力而延缓。甚至同种元素的不同同位素也会由于原子质量差异而影响晶格谐振,从而破坏热传递(译者注:硼元素就存在这个问题)。

氮化钽的特别有利之处在于,自然界中99.99%的钽都是钽181,没有其他同位素;氮与钽的特定结合使之相位金属化,从而抑制了热传导的相互作用,即减少了内耗。综上,θ-氮化钽结合多重优势,成为一种热导率比银高数倍,媲美金刚石的导热材料,而它比金刚石成本更低,也更易加工。

编译 YUXI


相关内容:
    没有相关内容
0
 

粉体求购:

设备求购:

寻求帮助:

合作投稿:

粉体技术:

关注粉体圈

了解粉体资讯