8月29日，据悉晶盛机电在电话会议上宣布，近日已成功生长出行业领先的8英寸碳化硅晶体，并建设了6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线，实验线产品已通过下游部分客户验证，公司将持续加强技术创新和工艺积累，实现大尺寸碳化硅晶体生长和加工技术的自主可控，进一步提升公司在第三代半导体材料端的竞争力。

8月12日，首颗8英寸N型SiC晶体成功出炉（来源：晶盛机电）

碳化硅衬底是宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。主要应用于以5G通信、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，具有明确且可观的市场前景。但是，“高硬度、高脆性、低断裂韧性”的碳化硅，对生产工艺有着极其苛刻的要求，而大尺寸的碳化硅晶体制备一直是行业的“卡脖子”技术。

去年7月，晶盛机电宣布成功生长出6英寸碳化硅晶体，同时8英寸碳化硅晶体生长已在研发中，同时将持续加强碳化硅长晶工艺和技术的研发和优化，并做好研产转化，建立生长、切片、抛光测试线，在量产过程中逐步打磨产品质量，掌握纯熟工艺和技术。此次8英寸碳化硅晶体的成功制备，是晶盛在宽禁带半导体领域取得的又一标志性成果。

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