5月4日，创新半导体材料设计和生产的全球领导者法国Soitec发布其首款200mm新型碳化硅晶圆，这也意味着该公司SmartSiC^TM专利衬底组合在150mm基础上的继续扩大，应用市场直指新能源汽车，满足其日益增长的需求。

SmartSiC™是将低质量的载体上粘贴高质量的单晶碳化硅，形象一些的比喻是把碳化硅衬底变成和三明治一样的结构，载体具体而言可以是一个非常低电阻率的多晶硅晶片，这样不仅可以提升元件的电气性能，同时还可以降低成本，提升产量。

就在今年3月11日，Soitec公司宣布，在其位于法国伯宁的总部建立一个新的制造工厂，主要用于制造新的应对电动汽车和工业市场的关键挑战的碳化硅晶圆。此次发布仅仅时隔不到两个月，使Soitec能够展示200mm SmartSiC晶圆的质量和性能，并进行第一轮关键客户验证。

Soitec独特的SmartSiC™这项技术可以显著提高电力电子设备的性能，提高电动汽车的能效。该技术包括将一层非常薄的高质量碳化硅粘合到一个非常低电阻率的多晶硅晶片上。Soitec首席技术官Christophe Maleville说，“我们独特的技术使我们能够开拓尖端工程基板，并为汽车和工业市场的电力电子产品开辟新的前景。我们的SiC基板系列增加了200mm，这使我们能够进一步区分我们的产品组合，并在产品质量、可靠性、体积和能效方面满足更广泛的客户需求，200mm晶圆发布巩固了我们的技术领先地位、推动创新和推出下一代晶圆技术的能力。”

编译 YUXI

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