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里程碑:ST意法推出首批200mm(8英寸)碳化硅晶圆
2021年07月29日 发布 分类:行业要闻 点击量:279
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7月27日,意法半导体(STMicroelectronics)宣布在瑞典Norrköping工厂推出首批200mm(8英寸)碳化硅晶圆,这被视为碳化硅衬底从150毫米向200毫米制式产品过渡的里程碑,是对汽车等工业市场电气化中的大力支持。

 

据介绍,这是全球最早量产的SIC晶片,意法对其高度评价,质量高、成品率高、晶体位错缺陷低。其中,低缺陷是通过利用STMicroelectronics SiC Carbide A.B.(前身为Norstel A.B.,ST于2019年收购)开发的碳化硅锭生长技术方面的卓越技术和专业知识而实现的。除了满足质量挑战外,向200mm SiC基板过渡还需要在制造设备和整体支持生态系统性能方面向前迈进一步。ST正与覆盖整个供应链的技术合作伙伴合作,开发自己的200mm碳化硅制造设备和工艺。业内有评价认为:200mm晶圆可增加产能,与150mm晶圆相比,制造集成电路的有用面积几乎是前者的两倍,可提供1.8-1.9倍的工作芯片。

ST公司在SiC领域的领导地位是25年专注于研发并拥有70多项专利的结果。颠覆性技术允许更高效的功率转换、更轻和更紧凑的设计,以及整体系统设计成本的节约——所有这些都是汽车和工业系统成功的关键参数和因素。ST公司目前在卡塔尼亚(意大利)和Ang Mo Kio(新加坡)的两个150毫米晶圆生产线上生产其领先的大批量STPOWER SiC产品,并在深圳(中国)和Bouskoura(摩洛哥)的后端工厂进行组装和测试。根据目前进展,该公司正在进行的计划,即在2024年之前建立一个新的碳化硅衬底工厂,并从内部采购40%以上的碳化硅衬底。

 

 

编译 YUXI

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