11月4日，全球半导体硅晶圆龙头环球晶（GlobalWafers）宣布重大技术突破，其12英寸碳化硅（SiC）晶圆及方形碳化硅晶圆原型开发正式完成，两款产品均已进入客户送样与验证阶段。

图片来源：环球晶官网

在业绩说明会上，环球晶董事长徐秀兰强调，当前全球碳化硅晶圆行业仍以8英寸产品为主流，12英寸技术尚处于产业化初期，公司此次直接攻克12英寸技术难关，具有里程碑意义。该产品核心优势显著：一方面可切割出更多芯片，大幅摊薄制造成本，为碳化硅器件大规模商业化扫清关键障碍；另一方面凭借优异导热性，能充分满足电动汽车、再生能源、高功率工业电源等领域对高效能、高功率密度元件的需求。

此次突破源于环球晶长期技术积累，公司已构建从晶锭到成品晶圆的垂直整合体系，掌握长晶、切片、研磨、抛光全制程技术。针对12英寸碳化硅晶圆的切割难题，其摒弃传统激光切割方案，自主研发新型无激光切割技术，同时攻克方形晶圆配套设备、量测技术等行业痛点。据悉，环球晶6/8英寸碳化硅晶圆目前产能利用率低于50%，但已出现复苏信号，公司预计2026年碳化硅市场市况将显著好转。

在产能布局上，环球晶全球扩产同步推进：美国德州工厂已实现小规模生产，吸引英飞凌、安森美等大厂签订五年长约；密苏里州工厂启动试产并开展SOI晶圆送样，预计2026年量产；欧洲意大利FAB300工厂于2025年10月正式启用，成为欧洲少数具备全制程能力的先进硅晶圆厂；亚洲据点扩产已完成，形成跨区互补产能网络。业内认为，此次12英寸碳化硅晶圆原型成功，将助力全球功率半导体产业升级，推动碳化硅器件成本下降与应用普及。

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