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英飞凌新型氮化铝陶瓷结构为高功率碳化硅模块降温
2021年06月21日 发布
分类：行业要闻 点击量：855
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6月16日，英飞凌（infineon）宣布与全球电子元件分销商EBV签约，拓展基于碳化硅的CoolSiC高性能陶瓷模块应用市场。
与硅基器件相比，碳化硅具有更高的工作频率和更高的工作电压范围，所以正在迅速扩展应用领域，如电池充电、光伏逆变器、电机驱动、储能和电源。英飞凌开发了从SiC基二极管和分立MOSFET到混合和全SiC模块的CoolSiC产品组合，但高功率密度带来的散热问题限制了器件的寿命和市场。 今年4月29日，英飞凌正式推出了全新的EasyDUAL™ CoolSiC™功率模块，该模块采用氮化铝陶瓷，器件为半桥结构，适用于1200V的高功率应用场景，包括太阳能不断电系统、辅助逆变器、储能系统和电动车充电器。配备氮化铝陶瓷的CoolSiC模块技术，使散热片的热阻最多降低40%热阻，可提高输出功率或降低工作温度，提升系统使用寿命。 编译 YUXI 
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