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英飞凌新型氮化铝陶瓷结构为高功率碳化硅模块降温
2021年06月21日 发布 分类:行业要闻 点击量:158
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6月16日,英飞凌(infineon)宣布与全球电子元件分销商EBV签约,拓展基于碳化硅的CoolSiC高性能陶瓷模块应用市场。

与硅基器件相比,碳化硅具有更高的工作频率和更高的工作电压范围,所以正在迅速扩展应用领域,如电池充电、光伏逆变器、电机驱动、储能和电源。英飞凌开发了从SiC基二极管和分立MOSFET到混合和全SiC模块的CoolSiC产品组合,但高功率密度带来的散热问题限制了器件的寿命和市场。

今年4月29日,英飞凌正式推出了全新的EasyDUAL™ CoolSiC™功率模块,该模块采用氮化铝陶瓷,器件为半桥结构,适用于1200V的高功率应用场景,包括太阳能不断电系统、辅助逆变器、储能系统和电动车充电器。配备氮化铝陶瓷的CoolSiC模块技术,使散热片的热阻最多降低40%热阻,可提高输出功率或降低工作温度,提升系统使用寿命。

编译 YUXI


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