嘉兴总投50亿IGBT功率半导体项目预计年内投产

发布时间 | 2020-07-27 15:05 分类 | 行业要闻 点击量 | 2801
导读:据浙江嘉兴地方消息,总投资52.5亿元,一期投资17.5亿元,计划建设2条IGBT芯片生产线,5条IGBT模块封装测试生产线,年产200万件IGBT功率器件的“赛晶亚太IGBT功率半导体项目”正加紧施工,预计今...

据浙江嘉兴地方消息,总投资52.5亿元,一期投资17.5亿元,计划建设2条IGBT芯片生产线,5条IGBT模块封装测试生产线,年产200万件IGBT功率器件的“赛晶亚太IGBT功率半导体项目”正加紧施工,预计今年12月投产。

IGBT外部封装以陶瓷为主,比如采用平板压接式封装陶瓷模块,这种结构的优点是能够双面散热,清除了焊接热疲劳,提高了可靠性,在大功率领域应用上有明显优势,缺点是每个部件必须有很好的一致性,因此对工艺的要求极高。

备注:

 

2019年初,赛晶集团启动IGBT研发及生产项目,成立赛晶亚太负责IGBT模块制造工作。2019年7月16日,赛晶亚太IGBT功率半导体项目正式落地嘉善。2020年6月,赛晶亚太IGBT大功率半导体项目开工。

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作者:粉体圈

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