2025年5月，日本东北大学与住友商事株式会社共同宣布，正式启动“碳循环型SiC（碳化硅）合成技术”的联合开发项目。该技术旨在利用CO₂与硅废料进行资源再生，构建新型低碳材料制造路径。项目研究周期预计至2028年3月，为期约三年，目标是在实现CO₂减排的同时，有效利用工业废弃物并降低SiC制备成本。
碳化硅（SiC）是近年来备受关注的下一代功率半导体材料，广泛应用于电动汽车（EV）和可再生能源设备等领域，有望显著提升能源转换效率。然而，传统SiC制备过程需在高温下进行，能耗巨大，且伴随大量二氧化碳排放，环境负荷高。
为解决上述难题，东北大学与住友商事决定共同开发“碳循环型SiC”合成技术。具体而言，东北大学将发挥其在碳循环方向的技术、专利与学术积累优势，专注于反应条件优化及高纯度SiC粉体的工艺验证。住友商事则负责构建硅废料（如切片加工过程中产生的硅泥）与CO₂的稳定供应体系，同时推进国内外市场调研与销售网络建设。
该项目不仅力图构建低环境负荷的新型材料制造模式，也有望在SiC粉体的纯度控制、规模化量产及成本竞争力方面取得突破。研究团队希望通过该项技术，推动SiC材料向更绿色、可持续的方向演进，为碳中和社会提供基础支撑。
粉体圈编译
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