最近，日本NGK（日本特殊陶业株式会社）宣布与AIST（国家先进工业科学技术研究所）启动意向联合研究，旨在实现对超薄氮化硅基板（厚度＜0.5mm）散热效率的精确检测和评估，以期达成行业标准，提升日本相关产品在全球电子设备市场的竞争力。
左：氮化硅基板 右：活性金属钎焊（AMB）衬底
近年来，氮化硅以兼顾高热导率、高机械强度、良好的绝缘性等特性被选为封装基板材料。AMB技术通过微米级结合层连接陶瓷基板与铜箔，同时尽可能降低热阻和内应力，从而为半导体功率模块提供高效散热。其作为关键材料，已在混合动力和电动车（EV/HEV）电源模块中得到广泛应用。显而易见的是，热量从芯片（如IGBT、SiC MOSFET）到散热器的传递路径越短，散热效率就越高。因此对陶瓷衬底减薄可以改善散热，继而提升功率半导体模块效率；或以此减少散热系统体积，提高功率密度，实现EV/HEV的轻量化。
目前缺乏评价低于0.5毫米厚度衬底散热性能的明确方法，日本现行工业标准(JIS)在该领域空白，因此在确保测量结果的一致性方面遇到了挑战。关于NGK不必过多赘述，AIST是旨在调用科学技术专长，加快开放创新的步伐，以应对社会挑战并增强工业竞争力的国立科研机构。本次研究将结合NGK及其先进的陶瓷衬底技术，搜集影响基材热扩散率测量的初步过程的量化数据，并对评价方法及其广泛的知识进行研究。
编译整理 YUXI
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