2024年10月30日，氮化铝材料领先企业Nitride Global,Inc宣布，将与United Semiconductor,LLC和Axiom Space合作开展一项由NASA资助的小型企业创新研究(SBIR)资助项目——“氮化铝单晶空间制造的物理气相沉积反应器设计和验证”，主要内容是在太空生长氮化铝晶体，旨在突破先进半导体材料可能性。

该半导体联盟致力于设计和验证物理气相沉积反应器，以尝试在微重力环境下生产高质量氮化铝单晶。这符合NASA对太空制造能力的兴趣，这些能力可以为自主系统、网络传感和其他新兴航空航天技术提供新型材料和设备。该合同以第一阶段 SBIR 的形式授予，预计将为合作提供一年的资金，如果该项目取得早期成功，可能还会提供后续资金。

Nitride Global首席执行官Mahyar Khosravi表示，“氮化铝单晶太空制造技术的发展代表着航空航天和半导体行业的重大飞跃。Nitride Global始终处于氮化铝创新的前沿，此次合作将使我们能够探索材料科学的新领域，同时为NASA推进太空自主系统和网络传感的使命做出贡献。这种合作伙伴关系强调了我们致力于突破先进半导体材料可能性界限的承诺。”

关于Nitride Global,Inc

该公司主要以低成本制备高纯度氮化铝晶体和粉体材料，用于提高UV-C LED制造的效率和产量，实现具有先进热管理的高密度封装，并减少半导体制造的停机时间和成本等。另外也开发AlON（氮氧化铝）材料，可为热管理和防护应用提供坚韧、耐化学腐蚀和耐电的涂层。

编译整理 YUXI