4月18日，扬州扬杰电子科技股份有限公司（扬杰科技）签署“6英寸碳化硅晶圆项目进园框架合同”，总投资约10亿元分两期实施建设，项目全部建成投产后，形成碳化硅6英寸晶圆产能5000片/月。
碳化硅半导体相比传统硅半导体可以在更高温度、更高电压、更高频率和更高辐射环境下工作，并具有更高的耐用性和可靠性，在汽车、工业、IT 及消费电子等多个领域的应用中有替代硅基器件的潜力，未来前景广阔。
2000年成立的扬杰科技，是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）的杰出厂商。扬杰科技已涉足碳化硅产品研发设计多年，形成了多项专利等知识产权，已成功开发并向市场推出SiC模块及650V SiC SBD、1200V系列SiC SBD全系列产品，SiC Mosfet已取得关键性进展，后续拟进一步布局6-8英寸碳化硅芯片生产线建设。
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