3月14日，三菱电机宣布，将增产高效节能的碳化硅（SiC）功率半导体。根据该计划，三菱电机预计将响应快速增长的电动汽车 SiC 功率半导体需求，并扩大新应用市场，例如低能量损耗、高温运行或高速开关等。

新的 8 英寸 SiC 晶圆厂图

据悉，三菱电机计划新增投资约1000亿日元，将用于建设新的 8 英寸 SiC 晶圆厂和增强相关生产设施。新工厂将建在日本熊本县，主要用于生产大直径 8 英寸 SiC 晶圆，并通过引入具有最先进节能性能的洁净室设备，实现高效率生产。同时，三菱电机还将加强其 6 英寸 SiC 晶圆的生产设施，以进一步扩大业务。

此外，三菱电机将新投资约100亿日元用于新工厂，该工厂将整合目前分散在福冈地区的现有业务，用于功率半导体的组装和检查。集设计、开发、生产技术验证于一体，将大大提升公司的开发能力，便于及时量产以响应市场需求。

三菱电机早在1994年就开始碳化硅技术的研发和应用，多年来他们已经率先将碳化硅技术应用在了家电、工业设备、轨道车辆等领域。而此次计划建设新的产线，主要是为了进军新能源汽车市场，同时还将使三菱电机为全球节能和脱碳的绿色转型趋势做出贡献。

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