11月23日，希科半导体有限公司在苏州纳米城III期召开碳化硅（SiC）外延片投产发布会。该项目年产能可达2万片将为园区第三代半导体产业发展注入更强动能。

据了解，过去一年，希科半导体购买的国产外延炉调试成功，完成了合格产品的生产，同时量测机台方面也在国内找到了相应的替代机型，填补了行业空白。目前公司已经实现了工艺设备、量测机台、关键原材料三位一体的国产化，完全、干净、彻底的解决了碳化硅外延片产品生产的难题，把碳化硅外延片生产的供应链真正做到了不再受制于国外约束；也为我国碳化硅行业开辟了一个新途径，创下了一个新纪录。

6英寸碳化硅外延晶片

当前，半导体设备成为中国高科技产业国产化的“卡脖子”环节之一，此次希科半导体在SiC外延片上实现纯国产研发方面的突破性进展，有力提升了国内企业振兴国产半导体产业的信心，也意味着我国第三代半导体产业链综合实力的进一步提升。

关于希科半导体

希科半导体成立于2021年8月，坐落于苏州纳米城III区第三代半导体产业园，是一家致力于发展第三代半导体碳化硅(SiC)材料的高科技公司。其团队拥有多年的碳化硅外延晶片开发和量产制造经验，凭借业内最先进的外延工艺技术和最先进的测试表征设备，为客户提供满足行业对低缺陷率和均匀性要求的6吋n型和p型掺杂外延晶片材料，是国内最早从事SiC技术研发和产业化的技术人才，拥有多项发明专利和实用新型专利。

参考来源：苏州工业园区