9月5日，昭和电工（Showa Denko KK，SDK）宣布开始使用自己生产的碳化硅单晶衬底制造并向客户提供用于碳化硅功率半导体的200mmSiC外延片（SiC epi-wafers）。

直径150mm和200mm的碳化硅外延片（图片来源：SDK）

与传统的基于硅晶片的功率半导体相比，碳化硅功率半导体降低了功率损耗并散发出更少的热量，从而节省了能源。因此，SiC功率半导体市场正在迅速扩大，特别是在电动汽车用功率器件和可再生能源发电领域。SiC功率半导体的性能受SiC外延片质量的影响很大。因此，SiC外延片制造商有必要使外延片具有低表面缺陷密度和稳定的质量。目前，SiC功率半导体主要由直径为150mm（6英寸）的SiC外延片制造。

SiC外延晶片的直径越大，功率器件制造商可以生产的SiC功率半导体芯片就越多。为应对这样的市场需求，SDK从2021年开始加快200mm SiC外延片的开发，此次开始出货由自产单晶SiC晶圆制成的SiC外延片样品。SDK已作为独立供应商在全球SiC外延片市场占有领先地位。SDK的目标是进一步增加200mmSiC外延晶圆的产量，建立稳定的晶圆生产系统，并通过从合作公司采购SiC晶圆和开发使用内部制造的单晶SiC晶圆的产品来提高其质量；并将继续进行研究和以到 2030 年开发直径为200mm的SiC外延晶片并将缺陷密度降低一位数以上为目标的开发活动。

编译整理 YUXI

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