8月17日，高意集团（II‐VI）宣布，已与东莞天域半导体签订1亿美元订单，向后者供应碳化硅（SiC）6英寸衬底，从本季度开始到2023年底交付。

交通基础设施和工业设备的电气化正在加速市场向基于第三代或宽带隙半导体碳化硅(SiC)的电力电子产品过渡。与最先进的硅基器件相比，碳化硅使电力电子器件更小、更高效，系统级总拥有成本更低。天域公司是中国最早和最大的SiC外延片制造商之一。该公司已经与II-VI签订了一份长期供应合同，以确保150毫米SiC基片的产能，满足其2023年的需求。

为满足亚洲市场需求，II-VI于2021年在中国福州的II-VI"亚洲地区总部 "建立了一条SiC基片的后端加工生产线，其洁净室面积超过50,000平方英尺。天宇公司将受益于II-VI在美国和中国的150毫米SiC全球产能。

天域公司和II-VI将提供高质量和可靠的供应链和未来200毫米的能力，支持电动汽车(EVs)、可再生能源、智能电网、微电网和数据网络电源等大型市场需求，这对SiC电力电子的快速增长至关重要。天域公司已做好准备，为中国电动汽车的电力电子市场提供服务。

来源：讯石光