8月9日，晶方科技发布公告称，其控股的苏州晶方集成电路产业投资基金合伙企业出资1000万美元投资了以色列VisIC Technologies Ltd．（以下简称VisIC公司），该公司是一家第三代半导体领域GaN（氮化镓）器件设计企业。

公开报道显示，全球汽车行业供应商采埃孚集团和半导体行业龙头台积电均是VisIC公司的合作伙伴。

此前，晶方科技与晶方产业基金等投资设立了苏州晶方光电科技有限公司（以下简称晶方光电），且并购了一家荷兰企业，该企业Anteryon公司前身是荷兰飞利浦的光学电子事业部，拥有完整的晶圆级光学组件制造量产能力与经验。

晶方科技原本主要专注于传感器领域的封装测试业务，同时具备8英寸、12英寸晶圆级芯片尺寸封装技术规模量产封装线。通过晶方光电，晶方科技成功将产业链延伸至晶圆级光学器件制造领域。

而此次交易，晶方科技将触角伸至第三代半导体器件设计领域。公告显示，交易完成后，晶方产业基金将获得VisIC公司7.94%的股权。VisIC公司申请布局了GaN技术的关键专利，在此基础上开发了氮化镓基大功率晶体管和模块，正在将其推向市场，产品主要使用于电能转换、快速充电、射频和功率器件等应用领域。

氮化镓（GaN）有何优势？

从 3G 到 5G 的演进过程当中，信号的调制方式都在不断演进，这就让氮化镓逐渐成为了行业关注的重点。

氮化镓能带来的提升包括三个方面，具体包括：

一、能支持更高信号带宽

这是由氮化镓的低寄生容性和高阻等特性决定的；

二、具备更高的效率

这是由其低射频损耗带来的；

三、可以输出更高的功率。

在高频段、宽带宽的应用下，想要在提高功率的同时保持更好的线性，对器件要求相当大，而氮化镓的特性，让它们能轻易应对这种挑战。

和传统的砷化镓器件相比较，在同样条件下，氮化镓的寿命和使用时间都比砷化镓高很多；在器件节温来看，氮化镓器件的表现比砷化镓器件高很多。

从 5G 基站的需求看来，他们要求器件能支持更多的频段，同时还能做到小型化，这在毫米波时代需要 128T 甚至 256T 的天线阵列的前提下，更是必须的；此外，硬件成本也是限制 5G 基站发展的一个重要因素；最后，功耗也是运营商需要考量的一个关键。

从天线角度看，如图所示，天线阵列应该采用锗化硅工艺制造，但采用这种工艺设计的天线，输出功率大不了。因为一旦功率过高，器件的效率就达不到。这就意味着在同样的 EIRP 的情况下，所需的天线路数更多。用砷化镓功率可以做到相对高一点，氮化镓则可以做到更高。

因此氮化镓用于5G基站的毫米波技术和解决方案有其得天独厚的优势，另外如今氮化镓也在电力电子领域带来一系列变化，例如现在渐渐普及的小型快充充电器。

晶方科技在公告中表示，“公司依据自身战略规划投资VisIC公司，积极布局前沿半导体技术，并充分利用自身先进封装方面的产业和技术能力，以期能有效把握三代半导体相关技术的产业发展机遇。”

粉体圈小吉整理