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封测巨头晶方科技投资氮化镓,入局第三代半导体
2021年08月13日 发布 分类:企业动态 点击量:314
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8月9日,晶方科技发布公告称,其控股的苏州晶方集成电路产业投资基金合伙企业出资1000万美元投资了以色列VisIC Technologies Ltd.(以下简称VisIC公司),该公司是一家第三代半导体领域GaN(氮化镓)器件设计企业。

公开报道显示,全球汽车行业供应商采埃孚集团和半导体行业龙头台积电均是VisIC公司的合作伙伴。

 

此前,晶方科技与晶方产业基金等投资设立了苏州晶方光电科技有限公司(以下简称晶方光电),且并购了一家荷兰企业,该企业Anteryon公司前身是荷兰飞利浦的光学电子事业部,拥有完整的晶圆级光学组件制造量产能力与经验。

晶方科技原本主要专注于传感器领域的封装测试业务,同时具备8英寸、12英寸晶圆级芯片尺寸封装技术规模量产封装线。通过晶方光电,晶方科技成功将产业链延伸至晶圆级光学器件制造领域

而此次交易,晶方科技将触角伸至第三代半导体器件设计领域。公告显示,交易完成后,晶方产业基金将获得VisIC公司7.94%的股权。VisIC公司申请布局了GaN技术的关键专利,在此基础上开发了氮化镓基大功率晶体管和模块,正在将其推向市场,产品主要使用于电能转换、快速充电、射频和功率器件等应用领域。

氮化镓(GaN)有何优势?

3G 到 5G 的演进过程当中,信号的调制方式都在不断演进,这就让氮化镓逐渐成为了行业关注的重点。

氮化镓能带来的提升包括三个方面,具体包括:

一、能支持更高信号带宽

这是由氮化镓的低寄生容性和高阻等特性决定的;

二、具备更高的效率

这是由其低射频损耗带来的;

三、可以输出更高的功率。

在高频段、宽带宽的应用下,想要在提高功率的同时保持更好的线性,对器件要求相当大,而氮化镓的特性,让它们能轻易应对这种挑战。

和传统的砷化镓器件相比较,在同样条件下,氮化镓的寿命和使用时间都比砷化镓高很多;在器件节温来看,氮化镓器件的表现比砷化镓器件高很多。

 

5G 基站的需求看来,他们要求器件能支持更多的频段,同时还能做到小型化,这在毫米波时代需要 128T 甚至 256T 的天线阵列的前提下,更是必须的;此外,硬件成本也是限制 5G 基站发展的一个重要因素;最后,功耗也是运营商需要考量的一个关键。

从天线角度看,如图所示,天线阵列应该采用锗化硅工艺制造但采用这种工艺设计的天线,输出功率大不了。因为一旦功率过高,器件的效率就达不到。这就意味着在同样的 EIRP 的情况下,所需的天线路数更多。砷化镓功率可以做到相对高一点氮化镓则可以做到更高。

因此氮化镓用于5G基站的毫米波技术和解决方案有其得天独厚的优势,另外如今氮化镓也在电力电子领域带来一系列变化,例如现在渐渐普及的小型快充充电器。

晶方科技在公告中表示,公司依据自身战略规划投资VisIC公司,积极布局前沿半导体技术,并充分利用自身先进封装方面的产业和技术能力,以期能有效把握三代半导体相关技术的产业发展机遇。



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