9月11日，英飞凌科技公司（Infineon Technologies）宣布成功开发出采用300mm功率GaN（氮化镓）晶圆的大规模生产技术。据悉，GaN晶圆是下一代功率电子器件的重要材料，广泛应用于5G通信、电动汽车、高效电源管理等领域，具有高效率、低损耗的优势，是替代传统硅基材料的关键技术之一。
300mm GaN晶圆（图片来源：英飞凌）
通过增大晶圆的直径，半导体可以提高每片晶圆上的芯片数量，从而降低芯片的成本。传统的功率GaN晶圆直径为200mm，而300mm晶圆的使用可以使每片晶圆的芯片数量在相同尺寸下增加到2.3倍。
此次开发的技术是通过整合到该公司位于菲拉赫的功率半导体工厂现有的300mm硅晶圆生产线的试点生产线实现的。英飞凌表示，由于硅和GaN的制造工艺相似，可以应用现有的300mm硅制造设备，并结合200mm GaN生产中积累的经验和技术，从而实现这一突破。公司计划继续根据市场需求扩大GaN的生产能力。此外，英飞凌还解释，生产的300mm GaN晶圆在导通电阻水平上能够实现与硅相同的成本效益。
菲拉赫工厂洁净室的场景，工程师手持的是300mm GaN晶圆（图片来源：英飞凌）
根据新闻报道，首批300mm GaN晶圆预计将于2024年11月在德国慕尼黑举办的展览会“电子展”（electronica）上公开展示。
粉体圈Coco编译
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