7月5日，晶盛机电在投资者关系平台宣称已成功生长出6英寸碳化硅晶体，同时8英寸碳化硅晶体生长已在研发中。并且近年布局的第三代半导体材料碳化硅的研发取得关键进展，碳化硅外延设备已通过客户验证。

碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，具有高禁带宽度、高电导率、高热导率等优越物理特征。碳化硅衬底是宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。主要应用于以5G通信、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，具有明确且可观的市场前景。

碳化硅衬底制作的技术门槛较高，良率低，成本较高制约其发展，导致行业的整体产能远不及市场需求。日前组织的投资者关系活动中，浙江晶盛机电股份有限公司表示，目前国内在技术和规模上都与国际头部企业存在很大的差距，公司近年布局的第三代半导体材料碳化硅的研发取得关键进展，成功生长出6英寸碳化硅晶体，公司将持续加强碳化硅长晶工艺和技术的研发和优化，并做好研产转化，建立生长、切片、抛光测试线，在量产过程中逐步打磨产品质量，掌握纯熟工艺和技术。

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