近日，中国电科（山西）碳化硅材料产业基地举行视频投产仪式。该项目从动工到投产，只用了11个月，未来在达成年产18万片碳化硅晶片后，将成为世界前十的碳化硅生产企业。
碳化硅晶片厚度仅0.5毫米（来源：山西电视台）
中国电科（山西）碳化硅产业基地一期项目于2019年4月1日开工建设，同年9月26日封顶，据此前山西综改示范区消息，一期项目能容纳600台碳化硅单晶生产炉和18万片N型晶片的加工检测能力，可形成7.5万片的碳化硅晶片产能，将彻底解决国外对我国碳化硅封锁的局面，实现完全自主可供。
自 2007 年，中国电科 2 所便着手布局碳化硅单晶衬底材料的研制规划，依靠自身在电子专用设备研发领域的技术优势，潜心钻研着碳化硅单晶生长炉的研制。目前全面掌握了高纯碳化硅粉料制备工艺、4 英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺，形成了从碳化硅粉料制备、晶体生长、晶片加工、外延验证等整套碳化硅材料研制线，在国内最早实现了高纯碳化硅材料、高纯半绝缘晶片量产。
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