随着太阳能多晶、单晶硅片线切割市场的没落，国内绿碳化硅微粉切割市场极度萎缩。但在半导体线切割，尤其是单晶硅的内圆切割领域，由于碳化硅切割线的液体切割比金刚石切割线的固体切割更能保护被切割晶圆的表面的平滑度，因此绿碳化硅微粉在半导体产业始终有着一席之地。不过由于半导体线切割碳化硅微粉对材料性能的要求与传统磨料有较多不同，因此在质量上也提出了更高的要求。

绿碳化硅微粉

1、粒度标准

由于国内在半导体线切割用碳化硅微粉的生产起步较晚，国内的半导体厂商一开始都是进口发达国家知名厂家的产品，如德国 ESK、日本 FUJIMI等。因此，国内一些碳化硅微粉厂家大多采用欧洲标准(FEPA)、 日本标准(JlS)和美国标准(ANSI)。

不过，由于国内的半导体线切割碳化硅微粉大部分出口日本，因此在国内采用范围较广的是日本标准。国内外标准最大的差别在于，国外采用的粒度指标增加了D0(最大粒径)，国内标准则没有，国内标准现阶段还主要停留在普通磨料、磨具标准方面。

最大粒径颗粒对普通磨料、磨具最终产品没有很大影响,但对半导体线切割用微粉的作用很明显。从下表采用了D0的国外标准可以看出：对于半导体线切割用微粉的粒度，其显著特点是粒度分布非常集中。

2、化学成分

化学成分对碳化硅微粉的结晶形态、使用效果等都会有影响。化学成分越高，其综合性能越好。

3、颗粒形状

作为半导体的线切割微粉，颗粒形状对样品加工效果会产生显著影响。一般来讲,与用于磨削过程中的研磨作用机理不同,用于半导体线切割的碳化硅微粉要求具有一定圆度值，并且颗粒要棱角分明。

4、堆积密度

堆积密度是碳化硅微粉的另一个重要指标。当微粉粒径处于微米级，其表面积、表面能和表面结合能迅速增大。而影响微粉堆积密度的主要因素，正是比表面积、表面能、表面结合能和颗粒间相互作用力。

5、清洁度

由于芯片对表面的清洁度要求很高，如果芯片表面被杂质污染，可能使产品报废。切割或抛光芯片时，很容易把杂质带入，因此对半导体线切割微粉的表面清洁度要求较高。

6、酸 、碱残留物含量

一般生产微粉工艺采用的是酸洗工艺。在整个过程中，如果水洗不够彻底，就会在微粉颗粒表面会留下酸残留和杂质，这些残留物在微粉阶段可能不明显，但若做成产品，就会表现出性能差异，从而影响产品品质。

半导体线切割碳化硅微粉除以上固定指标外，还有流动性、亲水性等指标，都需要逐步完善。现国内厂家与国外知名碳化硅厂家还有很大的差距，我们要奋力直追。

市场前景

综合国际和国内市场，国外半导体市场相对成熟，国内市场则处于刚起步阶段。但现阶段国家大力发展半导体行业，并将12寸单晶片的开发列入国家规划，行业专家综合预估，在未来5年内，国内市场的发展必然带动碳化硅线切割微粉市场进入下一个小高潮。

这些都将是碳化硅微粉制造厂家所面临的机遇，我们需要加强科研力量，做好技术沉积，形成技术优势；加强国内、国际同行交流，加强与半导体生产厂家的联系，占得技术与市场先机，迎风破浪，奋力向前！

                                      作者：毋水鑫