11月11日，河北同光晶体有限公司和中国科学院半导体研究所就组建第三代半导体材料联合研发中心签订战略合作协议，第三代半导体材料联合研发中心在保定·中关村创新中心举行签约暨揭牌仪式。中国科学院半导体研究所所长、中国科学院院士李树深等，出席了签约暨揭牌仪式。
据悉，河北同光晶体有限公司和中国科学院半导体研究所自开展合作以来，双方共同承担国家863 “大功率GaN电子器件用大尺寸SiC衬底制备及外延技术研究” 项目；在2013年底共同组建了“碳化硅单晶材料与应用研究联合实验室”；并且在2014年下半年研发出4英寸碳化硅晶片；在2015年初还多方共同成立了技术创新联盟和院士工作站。
第三代半导体产业技术创新联盟签约仪式
与在第一代、第二代半导体材料及集成电路产业上的多年落后、很难追赶国际先进水平的形势不同，我国在第三代半导体领域的研究工作一直紧跟世界前沿，工程技术水平和国际先进水平差距不大，已经发展到了从跟踪模仿到并驾齐驱、进而可能在部分领域获得领先和比较优势的阶段，并且有机会实现超越。
作为第三代半导体材料的典型代表，碳化硅（SiC）受到半导体下游企业的青睐，其具有良好的物理化学性能，具有宽带隙，高击穿电场、高电子漂移速度、高热导率、高热稳定性和化学性稳定等优良特性。利用碳化硅单晶衬底和外延材料制作的电力电子器件可以在Si基器件难以达到的高电压、大电流、高频率环境下工作，性能优势非常突出，产业前景广阔。
粉体圈 作者：启东
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