三菱化学近日宣布，将正式推进面向最先进半导体制造的超高纯度硅溶胶（胶体二氧化硅，Colloidal Silica）业务，并计划在日本九州事业所福冈地区新建生产设施，预计于2028年10月开始商业运行。
面向先进半导体CMP应用
硅溶胶是半导体制造中重要的研磨材料原料，主要用于硅晶圆研磨浆料以及晶圆布线层CMP浆料。
随着先进制程持续发展，晶圆表面平坦化对CMP材料提出了更高要求。尤其是在布线层研磨过程中，不仅需要实现纳米级表面平坦化，还要求尽可能减少划痕和杂质，同时保持较高的材料去除率。由于不同研磨对象对材料性能的要求不同，硅溶胶的粒径、颗粒形貌、密度及其他物性参数也需要进行针对性调整。
三菱化学此次推出的超高纯度硅溶胶，将采用超高纯度四甲氧基硅烷（TMOS）作为原料进行一体化生产，通过从原料端控制杂质含量，满足先进半导体领域对高纯度研磨材料的要求。同时，公司还将根据客户需求，对产品的粒径、密度等参数进行定制化调控。
可定制化硅溶胶示意图（来源：三菱）
先进半导体需求持续增长
当前，生成式AI、数据中心等领域快速发展，带动先进半导体市场持续扩张，也进一步推高了对高性能CMP材料的需求。
三菱化学在其经营愿景“KAITEKI Vision 35”中，将“数据处理与通信的高度化”列为重点业务领域之一。此次建设超高纯度硅溶胶生产能力，也是其进一步布局先进半导体材料供应链的重要举措。
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