5月26日，SK Hynix（SK海力士）对外公开了通过内置一体式冷却元件“ICE*”显著降低发热的“iHBM”解决方案，这被视为满足高性能计算和超高密度、超高带宽环境所需热管理能力的下一代HBM的材料和结构设计，以此能够提高AI服务器系统整体的稳定性和运营效率。

SK海力士公开的“iHBM”解决方案概念图

如图所示，将冷却元件（ICE）放入HBM封装内，优化发热集中区域的散热路径，热阻降低30%以上。海力士没有明确ICE的具体材料，但提到它是一种不导电但导热性能高的硅基材料；D2D PHY(芯片到芯片物理层)是基础芯片和 AI 高速芯片之间的超高速数据通信的物理连接通道。

本次公开的iHBM封装，将散热结构本身ICE作为封装设计的一部分，直接集成在最热的D2D PHY区域，实现了结构性的热管理。这种设计能直接为热量开辟专用通道，大幅降低热阻，为AI芯片的高密度集成开辟了一条新的散热路径。但是，作为核心材料的ICE会是什么？根据海力士描述“不导电但导热性能高的硅基材料”合理推断，硅基与内置元件匹配CTE，减少破坏性应力高度关联；不导电意味着元件主体可能是“聚合物”或“陶瓷”；高导热则意味着ICE更可能是陶瓷散热体，如果是“聚合物主体+陶瓷填料”的组合，其势必与AI器件追求极限导热性能的方向不符。

小结

兼具高导热、高绝缘和CTE匹配，氮化硅会是呼之欲出的答案。考虑加工性、导热性、稳定性等因素，氮化铝/氮化硅（AlN/Si₃N₄）复合材料综合性能优异，但存在氮化铝水解隐忧；氮化硼/氮化硅（BN/Si₃N₄）复合材料除了出色的可加工性，还能显著降低介电常数和介电损耗，这也是AI系统器件最重视的领域。如果您还有其他想法，不妨留言讨论。

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