9月24日，Resonac（力森诺科）宣布，与生产先进半导体衬底材料的法国Soitec正式合作签约，共同开发生产应用于功率半导体的200毫米（8英寸）碳化硅键合晶圆，以此达成8英寸碳化硅晶圆的低成本和批量生产。

Resonac的SiC外延片

过去我们曾经介绍过，Resonac Group是昭和电工集团和昭和电工材料集团（原日立化成集团）于2023年1月合并而成的新公司，目前也是半导体“后处理”（封装）材料领域是世界第一。封装业务之外，Resonac在昭和电工时期（2022年9月）宣布，正式向客户提供用于碳化硅功率半导体的200mmSiC外延片（SiC epi-wafers）。

简单科普下，SiC外延片是在碳化硅单晶衬底上生长而来，而碳化硅单晶衬底的制备对原料、工艺、设备都有严苛要求，且产率普遍较低，当前能够量产的产品仍以4-6英寸为主。

SmartSiC^TM专利技术切割的碳化硅晶圆片

Soitec拥有独特的技术，对高品质SiC单晶（高质量）晶片进行加工，将加工后的表面贴合到作为支撑基板的多晶SiC（低质量）晶片上，从而制作出单一的SiC单晶（键合）基板。以过去该公司在150毫米晶圆上开发的案例计算，该方法可以将一个单晶碳化硅衬底变成10个“三明治”层压板。这种键合衬底除了提高生产率外，还可在SiC晶圆制造过程中减少高达70%的二氧化碳排放，这在环境影响和成本方面都具有优势。

本次合作简而言之，Resonac将向Soitec供应SiC单晶衬底，Soitec将通过专利切割键合技术，将该单晶衬底制造成十倍量的SiC键合基板。

编译整理 YUXI