日本知名材料企业信越化学工业株式会社宣布，已成功开发出用于氮化镓（GaN）半导体的300毫米（12英寸）QST™基板，并已开始提供样品。这一突破性进展将大幅提高客户生产效率，有望加速新一代半导体在6G通信和数据中心领域的应用普及。

新闻背景

据市场研究机构Yole Intelligence预测，到2029年，化合物半导体基板市场规模将达到约33亿美元，较2023年增长2.6倍，其中EV功率半导体基板的需求增长尤为显著。虽然目前碳化硅（SiC）基板在EV领域处于领先地位，但氮化镓（GaN）作为一种新一代化合物半导体材料，凭借高频段稳定通信和大功率控制的优势，正在迅速追赶。

然而，GaN高品质大尺寸基板的制造难度一直是其广泛应用的主要障碍。包括三菱化学和住友化学在内的日本企业，正加快推进GaN基板的高品质化和大型化，以抢占市场先机。

最新进展

上文中提及的信越化学生产的QST™基板，采用氮化铝等材料制成，具有与GaN相同的热膨胀系数，能够抑制外延层的翘曲和裂纹，使其在传统硅基板无法实现的情况下，支持大直径、高质量的厚膜GaN外延，能够制备出更薄且品质更高的氮化镓结晶。此前，信越化学已成功销售6英寸和8英寸的QST™基板，此次开发的12有英寸版本，尺寸与传统硅基板相当，是之前产品面积的2.3倍。

尽管QST™基板价格略高于传统硅基板，但由于其能够在同样面积下生产更多元器件，整体制造成本将显著降低，并且能够兼容现有加工设备，进一步提升生产效率。信越化学计划投入超过10亿日元用于生产线扩展，预计几年内实现量产，首批产品将应用于通信和数据中心领域，为6G通信和高效数据处理提供了新的解决方案。未来还将逐步提高品质，以拓展到电动汽车（EV）等高端市场。

来源：信越化学

粉体圈Coco编译