赵有文，中国科学院半导体研究所研究员，博士生导师。长期从事砷化镓、磷化铟、锑化镓、砷化铟等III-V族单晶材料生长技术、多晶合成技术、材料缺陷、杂质、物性及其在光电子和微电子器件上的应用研究。近年来开展了磷化铟和锑化镓衬底的成果转化和产业化工作，成立珠海鼎泰芯源晶体有限公司，致力于磷化铟衬底和锑化镓衬底的规模化生产和市场应用。主要从事的研究工作包括大尺寸单晶的LEC和VGF/VB生长技术；晶体的掺杂与电学性能；高温退火及扩散对单晶缺陷的影响；深能级缺陷的属性、产生机理及其对单晶材料电学性质的影响；单晶中位错缺陷与晶体完整性、衬底晶格损伤缺陷及表面制备技术、衬底表面缺陷及良率控制等。曾承担完成国家科技攻关项目、自然科学基金项目、院地合作项目等累计50余项。在国际、国内核心学术刊物上发表论文150余篇，获国家级科学与技术进步奖二等奖、安徽省高校自然科学一等奖和省自然科学二等奖各一项，申请专利数十项。
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