近日，东京工业大学的金正焕助教和细野秀雄荣誉教授等人开发出了一种可以涂布制造的p型半导体。通过混合两种钙钛矿型卤化物来调整电流流动情况。制备出具备高性能的IGZO（铟镓锌氧化物，n型氧化物半导体）和薄膜晶体管（TFT）。
混合两种钙钛矿型卤化物，分别是具有二维结构的“PEA2SnI4”和具有三维结构的“FASnI3”。这两种物质通过制造核壳结构，既能实现了高载流子迁移率，又能实现切换功能。开关的阈值电压约为5伏特。
科学家称，通过让p型半导体和IGZO构成TFT，制作的互补金属氧化物半导体（CMOS）元件可实现高载流子迁移率。如果能使钙钛矿型卤化物在大气中稳定下来，将有望在柔性电子等领域得到发展。
注：上文提及的细野秀雄正是IGZO的发明人，他在2004年在《自然》杂志上首次报道了柔性透明IGZO薄膜晶体管，载流子迁移率在10 cm2 V-1 s-1左右，受到了研究机构和工业界的关注。由于这一材料电子迁移率更高，能够更好地实现高分辨率、高宽度、窄边框、低功耗等显示性能，因此有望取代非晶硅作为新一代TFT的半导体材料，在高端笔电和电竞显示市场具备明显优势。
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