1月10日，新加坡科学、技术和研究机构 (A*STAR)旗下微电子研究所 (IME)和法国Soitec半导体公司宣布开展研究合作，共同开发满足电动汽车和高压电子设备应用的碳化硅器件。具体而言则是IME采用Soitec专有技术生产的200毫米直径碳化硅衬底开发外延及MOSFET，并以此建立基准展示优势。

使用Smart Cut技术切割的碳化硅晶圆片

法国Soitec利用其智能切割技术（Smart Cut），可生产高性能、低能耗和低成本的150mm和200mm直径碳化硅晶圆衬底。Smart Cut技术是在低质量的载体上粘贴高质量的单晶碳化硅，形象一些的比喻是把碳化硅衬底变成和三明治一样的结构。这样不仅可以提升元件的电气性能，同时还可以降低成本，提升产量。简单用数字对比，该技术可以将传统工艺生产的碳化硅衬底变成10个。

A*STAR（Agency for Science,Technology and Reseach）是新加坡最大的科研机构，旗下IME（Institute of Microelectronics）则在集成电路和系统以及研究设计和过程技术方面建立了强大的专门知识和能力。

双方本次研究合作计划持续到 2024 年年中，Soitec 首席技术官兼高级执行副总裁Christophe Maleville表示：“这是我们与新加坡微电子研究所合作并展示SmartSiC衬底可扩展到 200mm 的绝佳机会。作为这一新工艺的主要受益者，新加坡的半导体生态系统将有机会验证通过我们合作生产的 SiC 晶圆的卓越能效。”

编译 YUXI

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