5G技术的发展，促使电子设备向高频化、多功能化、小型化和集成化发展，这就给5G电子设备的印刷电路板、组成部件、封装、防护等方面提出了更高的要求，如部分部件要求材料兼具高导热性、低介电性、高柔韧性、优异的绝缘性等等。六方氮化硼基材料因其优异的机械强度、卓越的导热性、较低的密度、低介电性、优异的绝缘性以及突出的化学稳定性和高温抗氧化性，被看作5G用理想的复合材料之一。

六方氮化硼形貌图

然而，六方氮化硼基材料的性能与其结构、组成等密切相关，在h-BN的应用研究中，有一个关键的问题是，通常其理想结构中并没有可用于键合改性的官能团或活性位点，这就造成在实际使用中，可能会有在基体中分散性差、对性能提升不明显等问题。因此，如何调控六方氮化硼基材料的结构和组成，优化其性能，就成为其能否满足不同性能5G材料需求的关键问题之一，其制备改性手段多样，不同厂商的产品性能差异较大。

在h-BN制备过程中会在其边缘引入少量的官能团，但这些官能团数量过少，对于实际应用问题的改善不明显，因此除了在制备过程中对材料结构实现一部分调控，也有必要进行更有针对性的功能化改性。目前h-BN功能化改性的方法较多，例如通过各类物理化学手段可以为h-BN修饰上—OH、醚键(—OR)、—NH₂、烷基(—R)、卤素(—X)和杂原子(C和O)等基团。从改性原理和改性产物的结构看，h-BN的功能化过程中均涉B-N键的打开，将相应的基团也应连接到未配对的B或N原子上，从而引入多样化的功能性基团改善h-BN的综合性能。

六方氮化硼的常用改性策略

山东晶亿新材料有限公司在前期的研究及生产过程中，开发了不同结构、组成的六方氮化硼基材料，实现了具有低润滑、高导热、低介电、高稳定的六方氮化硼基材料的可控及批量化生产，所生产的六方氮化硼基材料可以广泛应用于化妆品、低介电复合材料、高导热复合材料、润滑材料、防腐材料、纺织材料等领域。

在即将于2022年2月18-19日，在东莞举办“2022年全国导热粉体材料创新发展论坛”上，将由来自山东晶亿和中国科学院兰州化学物理研究所的于元烈研究员分享报告“六方氮化硼基纳米材料制备及其在导热材料中的应用”，现场详细讲解不同结构和性能的h-BN材料的调控制备，及其在导热材料中的应用。如果您对相关内容感兴趣，请千万不要错过！

报告人简介

于元烈，中国科学院兰州化学物理研究所研究员，博士生导师,Journal of Advanced Ceranmics青年编委，Coatings编委。曾分别于2010-2013与2014-2017年在澳大利亚国立大学（ANU），沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）从事博士后研究工作。目前主要从事六方氮化硼基微纳米材料的可控备及其在润滑、介电、导热与吸波材料等方面的应用研究；在Adv. Funct. Mter., Small, Chem. Eng. J., npj 2D Mater. Appl.等期刊发表论文70余篇，专著两章，申请专利10余项；主持、参与所人才计划项目，国家、省级自然科学基金，中国科学院重点项目，企业项目等项目多项。

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