提前量产化：三菱4英寸GaN单晶衬底即将投入市场

发布时间 | 2021-12-20 11:33 分类 | 行业要闻点击量 | 1211

导读：近日有外媒报道，三菱化学与日本制钢所合作研发的氮化镓(GaN)单晶衬底技术，经确认结晶成长已达4寸，相关人员表示，原先评估量产要到2023年以后，但因开发状况顺利且超过预期，在将经大型实验设...

氮化镓是宽禁带第三代半导体的代表之一，属于镓与氮的化合物，是实现超高效率元件的关键材料，因此半导体行业相当期待它的正式普及化。

近日有外媒报道，三菱化学与日本制钢所合作研发的氮化镓(GaN)单晶衬底技术，经确认结晶成长已达4寸，相关人员表示，原先评估量产要到2023年以后，但因开发状况顺利且超过预期，在将经大型实验设备进行反覆验证后，预计2022年初可量产并提前投入市场。

三菱4英寸GaN衬底

其实早在今年3月，三菱化学就曾透露他们已具备生产4英寸GaN单晶衬底的能力，并且正在开发6英寸的产品，而且晶体缺陷仅为普通GaN衬底的大约1/100-1/1000，“几乎没有缺陷”。之所以能做到这个地步，全靠一种联合日本东北大学开发的独特生长方法——“SCAAT(Super Critical Acidic Ammonia Technology)-LP”工艺，这项技术的好处是可制造大直径、高质量和低成本的GaN衬底。