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从硅衬底GaN基二极管项目获奖看国内LED产业革命
2015年12月23日 发布 分类:行业要闻 点击量:4660
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6月份科技部发布的2015年度国家科学技术奖初评结果显示,由南昌大学负责的硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管项目,获得国家技术发明奖初评一等奖,而日前召开的国务院常务会议上,批准了这一奖励评审结果。

 

 

国内获奖背景

国际上现有三条LED照明技术路线,分别是蓝宝石衬底、碳化硅衬底和硅衬底GaN基LED照明技术路线。


其中,前两条技术路线分别是以日本和美国为主发展起来的,主要贡献者分别获得日美两国最高科技奖,蓝宝石衬底技术路线的三个主要发明人还获得了2014年度的诺贝尔物理学奖,第三条硅衬底LED技术路线即为本项目发明成果。


专家认为,用硅衬底GaN基蓝光LED制造技术,相比蓝宝石和碳化硅衬底,价格更为便宜,也有利于提升LED芯片的产出效率,为行业发展起到助推作用。

 

国际产业背景

Soraa

近日美国公司Soraa公布消息,计划在纽约锡拉丘兹开设一家半导体制造工厂。该公司将与纽约州达成合作,共同新建一家先进的氮化镓基板(GaN on GaN)LED制造工厂。在与纽约州立大学纳米科学与工程学院的协同工作下,该厂有望于今年年底竣工,预计于2016年下半年开始投产。目前,Soraa已在加州弗里蒙特经营着一家LED制造工厂。


Soraa从2012年开始在美国销售LED灯,2013年开始在日本等美国以外的国家销售。2014年的销售额达到约40亿日元,实现了快速增长。该公司是由包括中村修二在内的三名UCSB教授于2008年成立的,他因开发出蓝色LED而获得2014年诺贝尔物理学奖。

 

中村修二

GaN Systems

位于加拿大渥太华的另一家氮化镓功率开关半导体开发商 GaN Systems也不甘寂寞,近日宣布其代工厂——台湾积体电路制造公司(简称台积电,TSMC)——将基于GaN Systems专有的Island Technology®(岛技术®)的产品的大批量生产扩大了10倍,以应对来自消费类和企业级客户激增的全球需求。


GaN Systems是一家系统设计师在其电源转换应用中去实现氮化镓所有优势所首选的无晶圆厂半导体公司。为了克服硅在开关速度、温度、电压和电流方面的限制,该公司为各种市场开发了最完整的氮化镓功率开关晶体管系列。GaN Systems独特的岛技术®能够解决当今成本、性能和可制造性的挑战,从而能够获得比其他GaN设计方法更小、更高效能的产品。

 

GaN Systems位于加拿大渥太华的总部

国内产业背景

其中国内GaN相关企业有苏州纳维科技有限公司被称为产业化拓荒者,其余还有中镓半导体、方大集团、三安光电、苏州能讯、中航(重庆)微电子、杭州士兰微电子等。


作为国家重点扶持,培育发展的战略性新兴产业——LED照明是新一代照明革命性技术的应用,具有节能、环保、高效等特点,尤其在传统能源、环境污染等因素制约的今天,LED照明产业无疑成为国家及社会所关注重点项目中的焦点,而是否能够顺利完成产业革命并且弯道超车,则仍要靠国内企业和科研学者的不断努力。

 

(粉体圈 作者:启东


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