1月4日，士兰微电子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线开工典礼在厦门海沧区成功举办。两大项目并行推进，凸显企业加码半导体核心制造领域的战略决心。
据了解，8英寸SiC芯片项目总投资120亿元人民币，分两期建设，全部达产后将形成年产72万片8英寸SiC芯片的生产能力。此次通线的一期项目计划于2026年至2028年逐步实现产能爬坡，达产后可形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。此次项目成功突破8英寸碳化硅晶圆制造多项核心工艺难题，核心产品为SiCMOSFET，将重点服务于新能源电动汽车、光伏、储能、充电桩、大型白电、AI服务器电源、工业电源等应用场景，助力客户提升系统能效与功率密度。
士兰微董事长陈向东表示，产线通线不仅是产能扩充，更是构建稳定合作体系的重要基础。行业人士指出，8英寸SiC晶圆因成本优势显著、生产效率更高，已成为全球产业链竞逐焦点，此次士兰微项目通线，将有效填补国内大尺寸SiC芯片产能缺口，推动国产碳化硅衬底及相关装备协同发展，为我国半导体产业链自主化与高质量发展注入新活力。
同步开工的12英寸高端模拟芯片项目规划投资100亿元，聚焦汽车、算力服务器等高端应用，计划2027年四季度初步通线，将进一步强化士兰微在高端模拟芯片领域的自主制造能力。
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