对比于传统硅材料，以碳化硅为代表的第三代半导体材料具备更大的击穿场强度和热导率，同时其带隙比硅更高，这些特性使得SiC器件能够处理更高的电压和温度，以碳化硅作为基材打造的半导体功率器件，可以在设计中达到更到的效率。过去的几年中在SiC制造领域涌现了大量的投资，随着制造技术的提升，SiC器件的可用性以及成本也有所改善。因此，在诸如电动汽车，快速充电，可再生能源等越来越多的行业正在逐步采用碳化硅，SiC预计将在电力电子技术的进步以及向更清洁、更可持续的未来的过渡中发挥重要作用。

然而，因为更多的应用于高功率的场景情况，SiC功率器件在高密度和高功率应用中会产生大量热量，如果散热不良，会导致器件性能下降甚至失效。因此，高效的散热方法对于确保碳化硅功率器件的稳定运行至关重要。通常SiC器件采用陶瓷基板并涉及到一系列的散热材料与方案的组合，以最大限度的提升器件散热，以期确保器件稳定工作，延长使用寿命，提高系统可靠性。

2025年5月26日--28日，粉体圈将在广州美丽豪酒店举办“CAC2025广州先进陶瓷论坛暨展览会”。在5月27日上午的“半导体与新能源”分论坛上，来自迈图技术的大中华及东南亚区域陶瓷业务负责人王存国将分享题为“采用先进陶瓷材料改善SiC功率模块基板的散热能力”的报告。迈图深耕材料领域多年，在高功率散热领域通过与客户合作，在高通量导热石墨与金属基板的封装，热沉片，均热板，氮化硼界面材料等一些应用案例中取得了良好的效果。本报告通过分享若干应用案例，抛砖引玉与业内交流陶瓷材料在高功率SIC器件中的应用情况，相信一定会让大家不虚此行！

报告人简介

王存国，现任迈图技术大中华及东南亚区域陶瓷业务负责人。从事陶瓷/半导体材料领域多年，具备丰富的行业应用经验。

CAC2025先进陶瓷论坛