7月17日，湖南省高校科技成果转化工作推进大会暨“双高”对接活动在株洲举办。清华大学谢志鹏教授团队与湖南维尚科技有限公司在会上签订“功率半导体用氮化硅基板烧结装备研制”项目合作协议。
项目现场签约（图片来源：人民网-湖南频道）
电子电力器件的大功率、高频化、高密度、集成化发展趋势对陶瓷散热基板提出了更高要求。氮化硅陶瓷的理论热导率可达到200 W/(m·K)以上，且热膨胀系数与芯片接近。因此，产业界将氮化硅陶瓷基板作为大规模或超大规模集成电路封装的升级选项。此次项目合作开展功率半导体用氮化硅基板烧结装备研制与先进科技成果转化。
烧结工艺是氮化硅陶瓷基板生产的关键技术之一，氮化硅基板烧结受到温度、气氛、气压、温度及气氛均匀性等的综合影响，过程极其复杂，极易出现外观均匀性、尺寸均匀性变差、成品率降低等问题。针对国产原料及相应配方制定与之匹配的烧结工艺和烧结设备，需要系统开展烧结工艺研究。谢志鹏教授在会上接受采访时提到，此次项目落地后，将会解决关键制品受制于人的局面。
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