第三代半导体即宽禁带半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件。北京大学宽禁带半导体研究中心沈波教授认为，在以5G、物联网、工业互联网等为代表的‘新基建’主要领域中，第三代半导体均可发挥重要作用。

相比于目前在功率半导体领域依然占主流地位的传统硅基器件，第三代半导体功率电子器件可使电子和电器设备进一步高效化、小型化、智能化。例如，耐高压、大电流、低损耗的碳化硅基功率电子器件及模块，可大规模应用于智能电网、高速轨道交通、新能源汽车等领域；高效率、小体积、中低压的氮化镓基功率电子器件及模块，则可大规模应用于新一代通用电源，如大数据中心、移动通信基站、物联网终端设备的电源，以及手机、笔记本电脑的电源适配器、无线快充电源等领域，具有巨大技术优势和市场空间。

第三代半导体射频电子器件在民用和军用领域都已实现规模化应用。尤其是，由于具备高频、高功率、大带宽的性能优势，氮化镓射频电子器件和模块在5G移动通信基站建设中发挥着不可替代的作用，我国5G建设提速，将触发对氮化镓射频电子器件需求的快速增长。

近日发布的《第三代半导体产业技术发展报告（2019年）》预测，2024年我国第三代半导体电力电子器件应用市场规模将近200亿元，未来5年复合增长率超过40%。近两年市场高速增长主要得益于国家对半导体产业自主化的大力提倡所获得的资本进入，以及碳化硅、氮化镓器件在新能源汽车、5G、数据中心等领域的新应用。

来源：科技日报

粉体圈 编辑