下游推动上游。AI服务器的高频、高速、高算力趋势下，MLCC从过去并不起眼的被动电子元件升级为仅次于GPU和存储芯片的第三大成本项硬件，这也让生产商在搭载量、容量、电气性能等各个层面展开新一轮激烈角逐。

核心介质原料钛酸钡（BaTiO₃，简称BT）粉体的粒径、晶相、纯度、分散性和批次一致性决定了MLCC设计与制造工艺的上限，作为MLCC介质材料的重要国产供应商，微纳创优（烟台）新材料有限公司聚焦超细纳米钛酸钡粉体研发、生产与销售，围绕纳米粒径精准控制、颗粒形貌优化、晶相调控、低杂质制备和自动化过程管理持续开展技术开发。

一、产品案例

BT-20nm系列SEM

微纳创优目前已形成20nm、60nm、100nm及150nm等系列BT粉体产品，为不同介质配方和工艺路线提供更多原料选择，将产品开发逻辑建立在需求之上，兼顾粒度分布、晶体结构、化学纯度、分散状态及烧结行为。以BT-20nm系列产品为例，上图可直观看到由近球形颗粒构成，主要集中在约20—30nm附近，窄分布特性可有效减少流延过程中的缺陷，助力介质层厚度向1μm甚至更薄突破，满足车规、AI服务器用超薄介质MLCC的严苛要求。结果由过程决定，微纳创优为MLCC生产商创造核心价值的核心技术是什么呢？

二、四大技术

超细钛酸钡粉体的制备，需要在颗粒成核与生长、形貌控制、化学组成及晶相特征之间取得平衡。微纳创优以水热合成路线为基础，围绕反应动力学参数和过程控制开展技术开发，主要体现为以下四个方向：

1、纳米粒径精准调控

通过对水热反应条件及关键工艺参数进行控制，实现不同目标粒径产品的开发，并结合颗粒形貌和粒度分布指标，对粉体尺寸进行定量管理，高球形度和规整形貌有利于在流延浆料中实现高固含量分散，减少介质层孔隙，从而大幅降低薄层化带来的击穿风险。

2、高四方相晶相调控

小粒径粉体极易出现立方相占比过高、介电常数下降的问题，通过优化水热合成与低温相变工艺，提升粉体四方相占比，平衡小粒径与高介电性能，解决超细粉体容易出现立方相占比过高、介电衰减的行业难题，保障MLCC器件容量、耐压及温度稳定性。

3、低杂质高纯制备与精准掺杂改性

粉体纯度高达99.99%，严格管控重金属、碱金属杂质残留，降低漏电流风险；同时建立稀土、金属元素原位掺杂工艺，可根据X7R、C0G等不同温度特性体系需求，提供定制化改性粉体，大幅缩短配方调试周期。

4、批次一致性管控

产线关键工序实现自动化闭环控制，对钡钛比、反应温度压力、pH、洗涤流程进行数字化管控，保证不同批次粉体性能高度一致，减少原料波动对配方和制造工序的影响，满足电子元器件行业大批量稳定供货的苛刻要求。

三、从样品验证到稳定供货

对于MLCC生产企业而言，选择国产BT粉体不仅需要考察产品指标，还要考察供应商能否配合客户完成规格确认、配方调试、工艺验证及后续批量供货。对于国产供应商而言，自身价值不仅在于提供另一种原料选择，还在于缩短沟通周期、提高规格响应效率，并配合客户围绕实际工艺开展定向开发。最重要的是长期主义，竞争力的关键在于能否稳定交付、持续提供可追溯的批次检测数据，以及能否在客户现场验证中实现性能一致性。

根据客户对容量、耐压、温度特性、介质层厚度与烧结制度的要求，微纳创优可围绕粉体粒径、掺杂体系及表面处理方向开展定制开发，并配套提供粉体应用技术支持；公司规划的年产300吨高端电子陶瓷粉体标准化产线项目已完成环评审批，并面向规模化供货持续推进标准化生产能力建设。公司产品已面向国内多家MLCC元器件厂商开展送样、测试验证及小批量供货工作。

与您相约，不见不散

粉体原料的技术指标是器件开发的起点，而不是最终性能的替代指标。无论是寻求超细粉体的车规MLCC大厂，还是致力于高容化突破的消费电子元器件商，2026年11月3-4日，广东东莞举办的“2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛”10号展位，微纳创优期待与您面对面交流，共同推动国产MLCC产业链的向上突围！

东莞MLCC论坛会务组